參數(shù)資料
型號： IRF630NSTRR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 9.3AI（四）|對263AB
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： IRF630NSTRR
www.irf.com
10
IRF630N/S/L
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF634N Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A)
IRF634NL Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A)
IRF634NS Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A)
IRF634NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
IRF634NSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF630NSTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 9.3A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF630NSTRRPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630R 制造商:All American Misc. 功能描述:
IRF630S 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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