參數(shù)資料
型號： IRF5YZ48CM
廠商： International Rectifier
英文描述： Telecom Protection, 500mA 600V TELECOM SMD
中文描述： 功率MOSFET N溝道（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.029ohm，身份證\u003d 18A條*）
文件頁數(shù)： 7/7頁
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代理商： IRF5YZ48CM
www.irf.com
7
IRF5YZ48CM
Case Outline and Dimensions — TO-257AA
Repetitive Rating; Pulse width limited by
maximum junction temperature.
VDD = 25 V, Starting TJ = 25
°
C, L= 1.0mH
Peak IAS = 18A, RG= 25
ISD
≤
18A, di/dt
≤
213 A/
μ
s,
VDD
≤
55V, TJ
≤
150
°
C
Pulse width
≤
400
μ
s; Duty Cycle
≤
2%
Footnotes:
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
Data and specifications subject to change without notice. 05/01
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PDF描述
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IRF610 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF610_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6100 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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