參數(shù)資料
型號： IRF540,
廠商： Intersil Corporation
英文描述： 28A, 100V, 0.077 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(28A, 100V, 0.077 Ohm,N溝道增強型功率MOS場效應管)
中文描述： 第28A，100V的，0.077 Ohm的N通道PowerMOSFET（第28A，100V的，0.077 Ohm的N溝道增強型功率馬鞍山場效應管）
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 75K
代理商： IRF540,
5
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-60 -40 -20
0
20
40
60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
100 120 140 160 180
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
3000
600
0
1
10
100
C
1800
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2400
1200
C
ISS
C
OSS
C
RSS
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
25
o
C
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
0
10
20
30
40
4
8
12
16
20
50
175
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
0
1.2
1.8
2.4
3.0
0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
1
10
100
I
S
,
1000
25
o
C
175
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
0
12
24
36
48
4
8
12
16
20
60
I
D
= 28A
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
V
DS
= 20V
IRF540, RF1S540SM
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PDF描述
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