參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530ND
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 17A條（丁）|芯片
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
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代理商： IRF530ND
IRF5305S/L
www.irf.com
9
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TO-262
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530N N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管)
IRF540CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP
IRF541FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
IRF542FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
IRF543FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF530NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF530NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF530NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 17A, 90 MOHM, 24.7 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
IRF530NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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