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參數(shù)資料
| 型號： | IRF520VL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.165ohm，身份證\u003d 9.6A） |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | IRF520VL |
IRF520NS/L
D
2
Pak Package Outline
D
2
Pak
Part Marking Information
10.16 (.400)
REF.
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
REF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MAX.
NOTES:
1 DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
3 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
2.54 (.100)
2X
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9B 1M
9246
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520VS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520 | N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| IRF520 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs |
| IRF520N | Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A) |
| IRF520PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF520VLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF520VPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.6A TO-220 |
| IRF520VS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 100V 9.6A |
| IRF520VSTRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
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