国产在线精品一区二区不卡,亚洲综合天天夜夜久久

相關PDF資料	PDF描述
IRF520VPBF	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF520V	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF5210L	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
IRF5210S	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
IRF5210	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

相關PDF資料

PDF描述

IRF520VPBF

HEXFET㈢ Power MOSFET

IRF520V

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)

IRF5210L

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

IRF5210S

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

IRF5210

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
IRF520R	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 9.2A I(D) \| TO-220AB
IRF520S	功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF520SPBF	功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:是類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520STRL	功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520STRR	功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

相關代理商/技術參數(shù)

參數(shù)描述

IRF520R

IRF520S

功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF520SPBF

功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:是類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRF520STRL

功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRF520STRR

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

*型號	*數(shù)量	廠商	批號	封裝

添加更多采購

型號：	IRF520PBF
廠商：	International Rectifier
英文描述：	HEXFET Power MOSFET
中文描述：	HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)：	1/7頁
文件大?。?/td>	230K
代理商：	IRF520PBF

采購需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

我的聯(lián)系方式

采購需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

我的聯(lián)系方式

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價