參數(shù)資料
型號(hào)： IRF448
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 9.6AI（四）|對(duì)204AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： IRF448
IRF4435
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.5A
di/dt = -100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
34
33
-1.2
51
50
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
-50
–––
–––
–––
-2.5
–––
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
5sec.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-30
–––
––– -0.019 –––
––– 0.015 0.020
––– 0.026 0.035
-1.0
–––
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
40
–––
7.1
–––
8.0
–––
16
–––
76
–––
130
–––
90
–––
2320 –––
–––
390
–––
270
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -8.0A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -5.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -15V, I
D
= -8.0A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -4.6A
V
DS
= -15V
V
GS
= -10V
V
DD
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 15
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
= 1.0kHz
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
-10
-10
-100
100
60
–––
–––
24
110
200
140
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF520CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP
IRF520NL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-262
IRF520NSTRL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF520NSTRR 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF520S
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF449 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-204AA
IRF450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF450 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR
IRF450_10 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF450R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA
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