參數(shù)資料
型號(hào)： IRF520S
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
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代理商： IRF520S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF520VSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB
IRF520VSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB
IRF5210STRL TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
IRF5210STRR TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
IRF521FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF520SPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520STRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520STRR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520V 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF520VL 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
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