參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3708PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET MOSFET的開關(guān)電源功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRF3708PBF
IRF3708/S/LPbF
8
www.irf.com
N ote: "P " in as s embly line
pos ition indicates "L ead-F ree"
F 530S
L OT COD E 8024
AS S E MB L E D ON WW 02, 2000
IN T H E AS S E MB L Y L IN E "L "
AS S E MB L Y
L OT COD E
IN T E R N AT ION AL
R E CT IF IE R
L OGO
P AR T N U MB E R
D AT E CODE
YE AR 0 = 2000
W E E K 02
L INE L
F 530S
A = AS S E MB L Y S IT E CODE
WE E K 02
P = PR ODU CT (OP T IONAL )
YE AR 0 = 2000
R E CT IF IE R
L OGO
INT E R NAT IONAL
L OT CODE
AS S E MB L Y
DAT E CODE
PAR T NU MB E R
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3708SPBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
IRF3710LPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 74; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
IRF3710SPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO
IRF3711LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3711PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3708S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3708SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF3708SPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 62A 12mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3708SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 62A D2-PAK
IRF3708STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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