參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3708PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET MOSFET的開(kāi)關(guān)電源功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRF3708PBF
IRF3708/S/LPbF
2
www.irf.com
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
213
62
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
62
248
Min. Typ. Max. Units
49
–––
–––
24
–––
6.7
–––
5.8
–––
14
–––
7.2
–––
50
–––
17.6
–––
3.7
–––
2417 –––
–––
707
–––
52
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 50A
–––
––– I
D
= 24.8A
–––
nC
–––
21
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, I
D
= 24.8A, V
DS
= 15V
V
DD
= 15V
I
D
= 24.8A
R
G
= 0.6
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
–––
–––
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.80
41
64
43
70
1.3
–––
62
96
65
105
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.028 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
8
12.0
13.5 m
29
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
9.5
14.5
–––
–––
–––
–––
–––
V
μA
nA
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PDF描述
IRF3708SPBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
IRF3710LPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 74; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
IRF3710SPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO
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IRF3708SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 62A D2-PAK
IRF3708STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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