型號: | IRF3515STRL |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五(巴西)直| 41A條(?。﹟對263AB |
文件頁數(shù): | 6/10頁 |
文件大小: | 162K |
代理商: | IRF3515STRL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF3515STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB |
IRF362 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-204AE |
irf36 | Inductors |
IRF3705NS | |
IRF3711STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF3515STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
IRF3515STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3515STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3515STRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 41A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
IRF351R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AA |