參數(shù)資料
型號： IRF3515STRL
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五（巴西）直| 41A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： IRF3515STRL
IRF3515S/L
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
150
–––
–––
0.21
–––
––– 0.045
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 25A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
4.5
25
250
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Parameter
Min. Typ. Max. Units
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
–––
120
–––
34
–––
63
–––
2260
–––
530
–––
170
–––
3330
–––
230
–––
280
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 25A
I
D
= 25A
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 75V
I
D
= 25A
R
G
= 2.5
R
D
= 3.0
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
107
23
65
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
pF
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
670
25
20
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 25A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
200
1.6
1.3
300
2.4
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
41
164
A
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
0.75
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted, steady-state)*
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相關PDF資料
PDF描述
IRF3515STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRF362 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-204AE
irf36 Inductors
IRF3705NS
IRF3711STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3515STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3515STRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3515STRR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3515STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 41A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF351R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AA
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