型號: | IRF3205ZSTRLPBF |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 75 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 7/12頁 |
文件大小: | 379K |
代理商: | IRF3205ZSTRLPBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF351 | 15 A, 350 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
IRF543 | 24 A, 60 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
IRFF9231 | 4 A, 150 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205 |
IRF614 | 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
IRF634N | 8 A, 250 V, 0.435 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF3205ZSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3205ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF320LSPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
IRF321 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
IRF322 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |