參數(shù)資料
型號： IRF3007S
英文描述： 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
中文描述： 75V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的一項D2 - PAK封裝
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 643K
代理商： IRF3007S
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3205STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
IRF3205STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
IRF3315L 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
IRF3315SL
IRF3315S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3007SPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3007STRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:75V D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 62A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 75V D2PAK
IRF3103 制造商:INTERFET 制造商全稱:INTERFET 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF31N20DPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:
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