參數(shù)資料
型號： IRF3007S
英文描述： 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
中文描述： 75V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的一項D2 - PAK封裝
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 643K
代理商： IRF3007S
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
-G
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
EA
ID
TOP 20A
34A
BOTTOM48A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3205STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
IRF3205STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
IRF3315L 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
IRF3315SL
IRF3315S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3007SPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3007STRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:75V D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 62A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 75V D2PAK
IRF3103 制造商:INTERFET 制造商全稱:INTERFET 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF31N20DPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*