參數(shù)資料
型號(hào)： IRF237
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 6.5 A, 275 V, 0.68 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： IRF237
5-4
IRF234, IRF235, IRF236, IRF237
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
0
50
100
150
0
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
C,
CASE TEMPERATURE (
o
C)
50
75
100
25
150
10
8
6
0
4
I
D
D
2
IRF235, IRF237
125
IRF234, IRF236
1
0.1
0.01
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
0.1
1
10
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
SINGLE PULSE
Z
θ
J
,
I
o
C
10
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
t
2
P
DM
t
1
DUTY FACTOR: D = t
t
2
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.5
100
10
1
10
100
0.1
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1000
T
= MAX RATED
SINGLE PULSE
T
C
= 25
o
C
OPERATION IN THIS
REGION IS LIMITED
BY r
DS(ON)
IRF234,
IRF235
1
10
μ
s
100
μ
s
1ms
DC
IRF236,
IRF237
10ms
IRF234, 236
IRF234, 236
IRF235, 237
IRF235, 237
V
DS,
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
50
75
100
0
125
15
12
9
0
6
I
D
,
V
GS
= 5V
V
GS
= 6V
80
μ
s PULSE TEST
3
V
GS
= 7V
V
GS
= 10V
V
GS
= 4V
V
GS
= 8V
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