參數(shù)資料
型號： IRF1104
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 0.009ohm，身份證\u003d 100號A）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： IRF1104
IRF1104
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
24A
42A
60A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRF1104LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF1104SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF1302PBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 256; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 78; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
IRF130 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
IRF130 N-CHANNEL POWER MOSFETS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF1104S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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