參數(shù)資料
型號： IRF1104
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 0.009ohm，身份證\u003d 100號A）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 101K
代理商： IRF1104
IRF1104
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
40
–––
–––
0.038 –––
–––
––– 0.009
2.0
–––
37
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
–––
114
–––
28
–––
19
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 60A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 60A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 60A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 20V
I
D
= 60A
R
G
= 3.6
R
D
= 0.33
, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
93
29
30
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
2900 –––
1100 –––
250
pF
–––
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
60A, di/dt
≤
304A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 194μH
R
G
= 25
, I
AS
= 60A. (See Figure 12)
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 60A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 60A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
74
188
1.3
110
280
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
100
400
A
Caculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature;for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF1104SPBF HEXFET Power MOSFET
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IRF1104S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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