參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1010ZSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Replacement for Texas Instruments part number 54BCT648/BLA. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 363K
代理商： IRF1010ZSPBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0
20
40
60
80
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
20μs PULSE WIDTH
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF1018ESLPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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