參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1010ZSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Replacement for Texas Instruments part number 54BCT648/BLA. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 363K
代理商： IRF1010ZSPBF
10
www.irf.com
Note: "P " in as s embly line
pos ition indicates "L ead-F ree"
F 530S
T H IS IS AN IR F 530S WIT H
L OT CODE 8024
AS S E MB L E D ON WW 02, 2000
IN T H E AS S E MB L Y L INE "L "
AS S E MB L Y
L OT CODE
INT E R N AT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
PAR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 0 = 2000
WE E K 02
L INE L
F 530S
A = AS S E MB L Y S IT E CODE
WE E K 02
P = DE S IGNAT E S L E AD-F R E E
YE AP R ODU CT (OPT IONAL )
R E CT IF IE R
L OGO
INT E R NAT IONAL
L OT CODE
AS S E MB L Y
DAT E CODE
PAR T NU MB E R
Dimensions are shown in millimeters (inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1010Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010ZS RESISTOR 1.5 OHM 20W TO220
IRF1104L HEXFET Power MOSFET
IRF1104S HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1010ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1010ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET 55V SINGLE N-CH HEXFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1018EPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1018ESLPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1018ESPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*