參數(shù)資料
型號： IR350SG12H
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCR
封裝： 0.350 X 0.350 INCH, DIE-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： IR350SG12H
1
www.irf.com
Junction Size:
Square 350 mils
Wafer Size:
4"
V
RRM
Class:
1200 V
Passivation Process:
Glassivated MESA
Reference IR Packaged Part:
50RIA Series
PHASE CONTROL THYRISTORS
IR350SG12HCB
Major Ratings and Characteristics
Parameters
Units
Test Conditions
V
TM
Maximum On-state Voltage
1.2 V
T
J
= 25°C, I
T
= 25 A
V
RRM
Reverse Breakdown Voltage
1200 V
T
J
= 25°C, I
RRM
= 100 μA
(1)
I
GT
Max. Required DC Gate Current to Trigger
100 mA
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
V
GT
Max. Required DC Gate Voltage to Trigger
1.9 V
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
I
H
Holding Current Range
10 to 200 mA
Anode supply = 6 V, resistive load
I
L
Maximum Latching Current
400 mA
Anode supply = 6 V, resistive load
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Chip Dimensions
350 x 350 mils (see drawing)
Wafer Diameter
100 mm, with std. < 100 > flat
Wafer Thickness
370 μm ± 10 μm
Maximum Width of Sawing Line
130 μm
Reject Ink Dot Size
0.25 mm diameter minimum
Ink Dot Location
See drawing
Recommended Storage Environment
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
Bulletin I0206J 02/97
(1)
Nitrogen flow on die edge.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IR370BG12D 86.35 A, SCR
IRF-10.1UH+/-20% 1 ELEMENT, 0.1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
IRF-1180UH+/-10% 1 ELEMENT, 180 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
IRF-182UH+/-10% 1 ELEMENT, 82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
IRF-30.82UH+/-20% 1 ELEMENT, 0.82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IR3510 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HOT-SWAP N+1 REDUNDANT XPHASETM CONTROL IC
IR3510MPBF 功能描述:IC XPHASE CONTROL 32-MLPQ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源管理 - 專用 系列:XPhase™ 應(yīng)用說明:Ultrasound Imaging Systems Application Note 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:37 系列:- 應(yīng)用:醫(yī)療用超聲波成像，聲納 電流 - 電源:- 電源電壓:2.37 V ~ 6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-WFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:56-TQFN-EP（8x8） 包裝:管件
IR3510MTRPBF 功能描述:熱插拔功率分布 HOT-SWAP N+1 XPHASE CTRL IC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Controllers & Switches 電流限制: 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 0.3 V 工作溫度范圍: 功率耗散: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Tube
IR3513MTRPBF 功能描述:開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 2 CH OR 2 PHASE SYNC PWM CNTRLR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出電壓:1.2 V to 10 V 輸出電流:300 mA 輸出功率: 輸入電壓:3 V to 17 V 開關(guān)頻率:1 MHz 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WSON-8 封裝:Reel
IR3513XMTRPBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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