型號(hào): | IRF-10.1UH+/-20% |
廠商: | VISHAY DALE |
元件分類: | 通用定值電感 |
英文描述: | 1 ELEMENT, 0.1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
封裝: | AXIAL LEADED |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 122K |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF-1180UH+/-10% | 1 ELEMENT, 180 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
IRF-182UH+/-10% | 1 ELEMENT, 82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
IRF-30.82UH+/-20% | 1 ELEMENT, 0.82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
IRF-240.39UH+/-10% | 1 ELEMENT, 0.39 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
IRF-24120UH+/-5% | 1 ELEMENT, 120 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF103IPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Adavanced Process Technology |
IRF10N40 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
IRF1104 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
IRF1104HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
IRF1104L | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |