參數(shù)資料
型號(hào)： IPI26CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 710K
代理商： IPI26CN10NG
IPB26CN10N G IPD25CN10N G
IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G
PG-TO-263 (D2-Pak)
Rev. 1.01
page 9
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB50CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD49CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI26CN10NGHKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI26CNE8N G 功能描述:MOSFET N-CH 85V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI26CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CNE8NGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI320N20N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 200V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*