參數(shù)資料
型號(hào)： IPI26CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 12/13頁(yè)
文件大?。?/td> 710K
代理商： IPI26CN10NG
IPB26CN10N G IPD25CN10N G
IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G
PG-TO251-3: Outline
Rev. 1.01
page 12
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB50CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD49CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI26CN10NGHKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI26CNE8N G 功能描述:MOSFET N-CH 85V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI26CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CNE8NGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI320N20N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 200V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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