參數資料
型號： IPI11N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數： 3/10頁
文件大小： 318K
代理商： IPI11N03LA
IPI11N03LA IPP11N03LA
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
1021
1358
pF
Output capacitance
C
oss
-
393
522
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
52
78
Turn-on delay time
t
d(on)
-
8.0
12
ns
Rise time
t
r
-
43
64
Turn-off delay time
t
d(off)
-
20
31
Fall time
t
f
-
2.8
4.2
Gate Charge Characteristics
5)
Gate to source charge
Q
gs
-
3.4
4.5
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
1.6
2.2
Gate to drain charge
Q
gd
-
2.3
3.5
Switching charge
Q
sw
-
4.1
5.8
Gate charge total
Q
g
-
8.2
11
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.3
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
V
DS
=0.1 V,
V
GS
=0 to 5 V
-
7.2
9.6
nC
Output charge
Q
oss
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
-
8.5
11
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
30
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
210
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
-
0.96
1.2
V
Reverse recovery charge
Q
rr
V
R
=15 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 A/μs
-
-
10
nC
5)
See figure 16 for gate charge parameter definition
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
=1 MHz
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=15 A,
R
G
=2.7
V
DD
=15 V,
I
D
=15 A,
V
GS
=0 to 5 V
Rev. 1.4
page 3
2006-05-11
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