參數(shù)資料
型號(hào)： IPF13N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： JFETs
英文描述： 30 A, 25 V, 0.0128 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 547K
代理商： IPF13N03LAG
IPD13N03LA G
IPF13N03LA G
IPS13N03LA G
IPU13N03LA G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C iss
-
784
1043
pF
Output capacitance
C oss
-
303
402
Reverse transfer capacitance
Crss
-41
62
Turn-on delay time
t d(on)
-
5.4
8.0
ns
Rise time
t r
-
4.6
6.9
Turn-off delay time
t d(off)
-15
23
Fall time
t f
-
2.6
3.9
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q gs
-
2.7
3.6
nC
Gate charge at threshold
Q g(th)
-
1.3
1.7
Gate to drain charge
Q gd
-
1.8
2.7
Switching charge
Q sw
-
3.3
4.7
Gate charge total
Q g
-
6.3
8.3
Gate plateau voltage
V plateau
-
3.4
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q g(sync)
V DS=0.1 V,
V GS=0 to 5 V
-
5.5
7.3
nC
Output charge
Q oss
V DD=15 V, V GS=0 V
-
6.6
8.7
Reverse Diode
Diode continous forward current
I S
-
30
A
Diode pulse current
I S,pulse
-
210
Diode forward voltage
V SD
V GS=0 V, I F=30 A,
T j=25 °C
-
0.95
1.2
V
Reverse recovery charge
Q rr
V R=15 V, I F=I S,
di F/dt =400 A/s
-
10
nC
6) See figure 16 for gate charge parameter definition
T C=25 °C
Values
V GS=0 V, V DS=15 V,
f =1 MHz
V DD=15 V, V GS=10 V,
I D=15 A, R G=2.7
V DD=15 V, I D=15 A,
V GS=0 to 5 V
Rev. 2.2
page 3
2008-04-14
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