- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296206 > IPF13N03LAG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 30 A, 25 V, 0.0128 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IPF13N03LAG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 25 V, 0.0128 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 547K |
| 代理商： | IPF13N03LAG |
IPD13N03LA G
IPF13N03LA G
IPS13N03LA G
IPU13N03LA G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R thJC
-
3.2
K/W
SMD version, device on PCB
R thJA
minimal footprint
-
75
6 cm
2 cooling area5)
--
50
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA
25
-
V
Gate threshold voltage
V GS(th)
V DS=V GS, I D=20 A
1.2
1.6
2
Zero gate voltage drain current
I DSS
V DS=25 V, V GS=0 V,
T j=25 °C
-
0.1
1
A
V DS=25 V, V GS=0 V,
T j=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I GSS
V GS=20 V, V DS=0 V
-
10
100
nA
Drain-source on-state resistance
R DS(on)
V GS=4.5 V, I D=20 A
-
17.5
21.9
m
V GS=10 V, I D=30 A
-
10.7
12.8
Gate resistance
R G
-
0.9
-
Transconductance
g fs
|V DS|>2|I D|R DS(on)max,
I D=30 A
18
36
-
S
5) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Values
2) Current is limited by bondwire; with anR
thJC=3.2 K/W the chip is able to carry 47 A.
3) See figure 3
4) T
j,max=150 °C and duty cycle D <0.25 for V GS<-5 V
1) J-STD20 and JESD22
Rev. 2.2
page 2
2008-04-14
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR1150IS | UPFC ONE CYCLE CONTROL PFC IC |
| IR1150ISTR | UPFC ONE CYCLE CONTROL PFC IC |
| IR1150ISTRPBF | UPFC ONE CYCLE CONTROL PFC IC |
| IR1150LS | UPFC ONE CYCLE CONTROL PFC IC |
| IR2112PBF | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPF2 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
| IP-FFT | 功能描述:開發(fā)軟件 FFT/IFFT MegaCore RoHS:否 制造商:Atollic Inc. 產品:Compilers/Debuggers 用于:ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors |
| IPFH6N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPFH6N03LAG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。