參數(shù)資料
型號： IPD800N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 383K
代理商： IPD800N06NG
IPD800N06N G
PG-TO252-3: Outline
packaging:
Rev.1.1
page 8
2006-04-07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPDH5N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH5N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPFH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH9N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPD800N06NG_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification
IPD800N06NGBTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
IPD800N06NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 16A 3PIN TO-252 - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Infineon IPD800N06NGXT MOSFETs
IPD80CN10NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS2 Power-Transistor
IPD80N04S306 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*