參數(shù)資料
型號： IPD800N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 383K
代理商： IPD800N06NG
IPD800N06N G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=16 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
40
80
120
160
200
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
16 μA
160 μA
0
1
2
3
4
5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
3
10
2
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25°C 98%
175°C 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
1
2
3
V
SD
[V]
I
F
Rev.1.1
page 6
2006-04-07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPDH5N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH5N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPFH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH9N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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IPD800N06NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 16A 3PIN TO-252 - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Infineon IPD800N06NGXT MOSFETs
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