參數(shù)資料
型號： IPB80N08S2-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 170K
代理商： IPB80N08S2-07
IPB80N08S2-07
IPP80N08S2-07, IPI80N08S2-07
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= (
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. Forward transconductance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 6V
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
= 25°C
parameter:
T
j
parameter:
g
fs
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
7 V
10 V
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
I
D
6.5 V
10 V
5
10
15
20
25
30
35
40
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
-55 °C
5
25 °C
175 °C
0
40
80
120
160
200
240
280
320
2
3
4
6
7
8
V
GS
[V]
I
D
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
I
D
[A]
150
200
g
f
Rev. 1.0
page 5
2006-03-03
相關PDF資料
PDF描述
IPB80N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80P03P3L-04 OptiMOS-P Power-Transistor
IPD03N03LB OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD03N03LBG OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD03N03LA Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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