參數(shù)資料
型號(hào)： IPB60R165CP
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CoolMOS Power Transistor
中文描述： 的CoolMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 345K
代理商： IPB60R165CP
IPB60R165CP
CoolMOS
TM
Power Transistor
Features
Lowest figure-of-merit R
ON
xQ
g
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
CoolMOS CP is specially designed for:
Hard switching topologies for Server and Telecom
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
A
T
C
=100 °C
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=7.9 A,
V
DD
=50 V
522
mJ
Avalanche energy, repetitive
t
AR
2),3)
E
AR
I
D
=7.9 A,
V
DD
=50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
2),3)
I
AR
A
MOSFET d
v
/d
t
ruggedness
d
v
/d
t
V
DS
=0...480 V
V/ns
Gate source voltage
V
GS
static
V
AC (
f
>1 Hz)
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
°C
Value
21
13
61
±30
192
-55 ... 150
0.79
7.9
50
±20
V
DS
@ T
j,max
650
V
R
DS(on),max
0.165
Q
g,typ
39
nC
Product Summary
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPP60R165CP
PG-TO263
SP000096439
6R165P
PG-TO263
Rev. 2.0
page 1
2006-06-19
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB60R199CP CoolMOS Power Transistor
IPB77N06S3-09 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD78CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB80N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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