參數(shù)資料
型號(hào): IPB60R165CP
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: CoolMOS Power Transistor
中文描述: 的CoolMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 345K
代理商: IPB60R165CP
IPB60R165CP
13 Typ. capacitances
14 Typ. Coss stored energy
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
E
oss
=
f
(V
DS
)
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
600
V
DS
[V]
E
o
Ciss
Coss
Crss
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
0
100
200
300
400
500
V
DS
[V]
C
Rev. 2.0
page 7
2006-06-19
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB60R199CP CoolMOS Power Transistor
IPB77N06S3-09 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD78CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB80N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB60R165CPATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
IPB60R165CPXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
IPB60R190C6 功能描述:MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB60R190C6ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
IPB60R199CP 功能描述:MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube