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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IPB12CNE8NG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 568K |
| 代理商： | IPB12CNE8NG |
IPB12CNE8N G IPD12CNE8N G
IPI12CNE8N G IPP12CNE8N G
PG-TO220-3: Outline
Rev. 1.01
page 8
2006-02-17
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD12CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI12CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB14N03LA | MULTI DVI RECEIVER - FIBER |
| IPI14N03LA | MULTI DVI DAISY CHAINABLE RECEIVER -FIBER |
| IPP14N03LA | MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPB12CNE8NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 67A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB136N08N3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB136N08N3G | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB136N08N3GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3 |
| IPB136N08N3GXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3 |
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