參數(shù)資料
型號： IPB100N08S2L-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 164K
代理商： IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07
13 Typical avalanche energy
14 Typ. gate charge
E
AS
= f(
T
j
)
V
GS
= f(
Q
gate
);
I
D
= 100 A pulsed
parameter:
I
D
=80A
parameter:
V
DD
15 Typ. drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
= f(
T
j
);
I
D
= 1 mA
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
25
75
125
175
T
j
[°C]
E
A
V
GS
Q
gate
Q
gs
Q
gd
Q
g
15V
60V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
Q
gate
[nC]
120
160
200
V
G
66
71
76
81
86
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
Rev. 1.0
page 7
2006-03-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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IPB100P03P3L04XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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