參數(shù)資料
型號(hào)： IPB100N08S2L-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 164K
代理商： IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= (
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. Forward transconductance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 6V
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
= 25°C
parameter:
T
j
parameter:
g
fs
2.5 V
3 V
3.5 V
4 V
10 V
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
I
D
-55 °C
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
V
GS
[V]
I
D
0
50
100
150
200
250
0
50
100
I
D
[A]
150
200
g
f
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
10 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
]
Rev. 1.0
page 5
2006-03-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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IPB100P03P3L04XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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