參數(shù)資料
型號： IPB08CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 526K
代理商： IPB08CN10NG
IPB08CN10N G
IPI08CN10N G IPP08CN10N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
10 V
0
5
10
15
20
0
50
100
150
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
V
GS
[V]
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
40
80
120
160
I
D
[A]
g
f
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1
2
3
4
5
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.02
page 5
2006-06-02
相關PDF資料
PDF描述
IPI08CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB08CN10NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB08CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB08CNE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB08CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB08CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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