參數(shù)資料
型號(hào)： IPB051NE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 473K
代理商： IPB051NE8NG
IPB051NE8N G IPI05CNE8N G
IPP054NE8N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
Z
t
0
50
100
150
200
250
300
350
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.04
page 4
2006-02-17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI05CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB051NE8NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level 175 °C operating temperature
IPB051NE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB052N04N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB052N04NG 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB052N04NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
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