參數資料
型號： IPB05CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數： 1/11頁
文件大小： 526K
代理商： IPB05CN10NG
IPB05CN10N G IPI05CN10N G
IPP05CN10N G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
N-channel, normal level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC
1)
for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
100
A
T
C
=100 °C
100
Pulsed drain current
3)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=100 A,
R
GS
=25
826
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=100 A,
V
DS
=80 V,
d
i
/d
t
=100 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
100
V
R
DS(on),max (TO 263)
5.1
m
I
D
100
A
Product Summary
Type
IPB05CN10N G
IPI05CN10N G
IPP05CN10N G
Package
PG-TO263-3
PG-TO262-3
PG-TO220-3
Marking
05CN10N
05CN10N
05CN10N
Rev. 1.05
page 1
2006-06-02
相關PDF資料
PDF描述
IPI05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB065N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
IPB05CN10NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor
IPB05CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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