型號: | IMX8 |
廠商: | Diodes Inc. |
英文描述: | GT 3C 3#16S PIN PLUG |
中文描述: | 雙npn型小信號晶體管表面貼裝 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 43K |
代理商: | IMX8 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IMX8 | GT 3C 3#16S PIN PLUG |
IPL1-105-01-S-S | 5 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
IPL1-102-01-S-S | 2 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
IPL1-110-01-S-S | 10 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
IQBG-2000A+ | 1800 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE I/Q MODULATOR, 9 dB CONVERSION LOSS-MAX |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IMX8_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
IMX8_2 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
IMX8-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 225mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
IMX8-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 225mW SIGNAL DUAL NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
IMX8T108 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 120V 50MA SOT-457 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |