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參數(shù)資料
| 型號： | IMC040FLSP |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 40 MegaBaytes Series 2+ Flash Memory Card(40M字節(jié)閃速存儲器卡) |
| 中文描述： | 20M X 16 FLASH 12V PROM CARD, 250 ns, XMA68 |
| 文件頁數(shù)： | 38/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | IMC040FLSP |
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SERIES 2+ FLASH MEMORY CARDS
E
38
8.10
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= 0 °C to +70 °C
Erase and Data Write Perfomance
(1,3)
Sym
Parameter
Notes
2
Min
Typ
(1)
2.2
Max
Units
μs
Test Conditions
Page Buffer Word Write Time
t
WHQV1
t
EHQV1
Word/Byte Write Time
2
9 μs
3 mS
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Write Time
2
0.6
2.1
sec
Byte Write Mode
Block Erase Time
2
0.8
10
sec
Full Chip Erase Time
2
51.2
sec
V
CC
= 5.0 V ± 0.
5 V
, T
A
= 0 °C to +70 °C
Sym
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
Test Conditions
Page Buffer Word Write Time
2
2.1
μs
t
WHQV1
t
EHQV1
Word Byte/Write Time
2,4
6 μs
3 mS
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Write Time
2
0.4
2.1
sec
Byte Write Mode
Block Erase Time
2
0.6
10
sec
Full Chip Erase Time
2
38.4
sec
NOTES:
1.
2.
3.
4.
25 °C, and normal voltages.
Excludes system-level overhead.
These performance numbers are valid for all speed versions.
To maximize system performance, the RDY/BSY# signal should be polled instead of using the maximum word/byte write
time as a delay timer.
The maximum word/byte write time is the absolute maximum time it takes the write algorithm to complete. The
overwhelming majority of the bits program in the typical value specified.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMC020FLSP | 20 MegaBaytes Series 2+ Flash Memory Card(20M字節(jié)閃速存儲器卡) |
| IMC008FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
| IMC016FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
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| IMC064FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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