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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IMC040FLSP |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 40 MegaBaytes Series 2+ Flash Memory Card(40M字節(jié)閃速存儲(chǔ)器卡) |
| 中文描述： | 20M X 16 FLASH 12V PROM CARD, 250 ns, XMA68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | IMC040FLSP |
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E
8.9.2
SERIES 2+ FLASH MEMORY CARDS
33
WRITE OPERATIONS: COMMON AND ATTRIBUTE MEMORY
(1)
Symbol
Parameter
150 ns at 5 V
250 ns at 3.3 V
Unit
JEDEC
PCMCIA
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
c
W
Write Cycle Time
150
250
ns
t
WLWH
t
w
(WE)
Write Pulse Width
80
150
ns
t
AVWL
t
su
(A)
Address Setup Time
20
30
ns
t
AVWH
t
su
(A-WEH)
Address Setup Time for WE#
100
180
ns
t
VPWH
t
vps
V
PP
Setup to WE# Going High
180
ns
t
ELWH
t
su
(CEWEH)
Card Enable Setup Time for WE#
100
180
ns
t
DVWH
t
su
(D-WEH)
Data Setup Time for WE#
50
80
ns
t
WHDX
t
h
(D)
Data Hold Time
20
30
ns
t
WHAX
t
rec
(WE)
Write Recover Time
20
30
ns
t
WHRL
WE# High to RDY/BSY#
140
140
ns
t
QVVL
V
Hold from Operation
Complete
0
0
ns
t
WHGL
t
h
(OE-WE)
Output Enable Hold from WE#
80
120
ns
t
PHWL
Power-Down Recovery to WE#
Going Low
1
1
μs
NOTE:
1.
Read timing characteristics during erase and data write operations are the same as during read-only operations. Refer to
Read Operations: Common Memory
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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