參數(shù)資料
型號： IKA06N60T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
中文描述： 低損耗DuoPack：在IGBT的溝槽場終止技術(shù)和軟，恢復(fù)快反平行何快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 13/14頁
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代理商： IKA06N60T
IKA06N60T
^
TrenchStop series
Power Semiconductors
13
Rev. 2 Oct-04
Figure A. Definition of switching times
Figure B. Definition of switching losses
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
di
/dt
r r
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
Leakage inductance
L
σ
=60nH
and Stray capacity
C
σ
=40pF.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IKB06N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKB20N60T IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP20N60T IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKW20N60T IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP03N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
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IKA08N65H5 功能描述:IGBT 晶體管 10-120 kHz IGBT with Anti-Parallel Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKA08N65H5XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube
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