參數(shù)資料
型號(hào)： IHD 215
廠商： SIEMENS AG
英文描述： IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET)
中文描述： IGBT和功率場效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 5/24頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： IHD 215
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 5
Allgemeine Kenndaten
Qualitt
Norm
Herstellung
ISO9001 zertifiziert
Zuverlssigkeit
Norm
typ
Einheit
MTBF IHD215/280xx
MTBF IHD680xx
MIL HDBK 217F
(siehe 12)
MIL HDBK 217F
(siehe 12)
> 2’000’000Std
> 1’840’000Std
Umgebungsbedingungen
Testbedingung
min
max
Einheit
Betriebstemperatur
IHDxxxAN
(siehe 13)
IHDxxxAI
(siehe 13)
alle Typen
0
+70
+85
+85
°C
°C
°C
-40
-40
Lagertemperatur
Elektrische Kenndaten
Stromversorgung
Testbedingung
min
typ max
Einheit
Speisespannung
V
cc
(siehe 1)
Pin 10 gegen Pin 9
Stromaufnahme
I
cc
(siehe 2)
Max. Stromaufnahme
I
cc
Max. Stromaufnahme
I
cc
Max. Stromaufnahme
I
cc
Wirkungsgrad
η
Einschaltschwelle
V
th
Hysterese Ein-/Aus
(siehe 4)
12
15
90
16
Vdc
mA
mA
mA
mA
%
Vdc
Vdc
Leerlauf alle Typen
IHD215xx
(siehe 3)
IHD280xx
(siehe 3)
IHD680xx
(siehe 3)
interner DC/DC-Wandler
alle Typen
alle Typen
200
200
500
75
10
0,6
Eingnge INx+ zu INx-
Testbedingung
min
typ max
Einheit
Eingangsspannung
V
in
(siehe 5)
alle Typen
14
15
16
Vdc
alle Typen
alle Typen
alle Typen
alle Typen
alle Typen
Stromaufnahme
I
in
(siehe 6)
Eingangskapazitt
C
in
Koppelkapazitt
C
io
Anstiegszeit
t
r(in)
(siehe 7)
Fallzeit
t
f(in)
(siehe 7)
180
470
10
mA
(peak)
pF
pF
ns
ns
0
0
50
50
Messung Schutzfunktion
Testbedingung
min
typ max
Einheit
Eingnge ME1 und ME2
gegen E1 bzw E2
-0,5
V
cc
Vdc
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PDF描述
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