參數(shù)資料
型號: IGW15T120
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology
中文描述: 在海溝和低場終止IGBT的技術(shù)損失
文件頁數(shù): 11/12頁
文件大小: 408K
代理商: IGW15T120
IGW15T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
11
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
Figure A. Definition of switching times
Figure B. Definition of switching losses
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
Leakage inductance
L
σ
=180nH
and Stray capacity
C
σ
=39pF.
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IGW25N120H3 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube