參數(shù)資料
型號： IGB50N60T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
中文描述： 低損耗IGBT的在戰(zhàn)壕和場終止技術(shù)
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大小： 402K
代理商： IGB50N60T
IGP50N60T, IGB50N60T
TrenchStop Series
IGW50N60T
Power Semiconductors
12
Rev. 2.2 Dec-04
Figure A. Definition of switching times
Figure B. Definition of switching losses
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
di
/dt
r r
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGP50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGW50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
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參數(shù)描述
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