參數(shù)資料
型號： IGB01N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 390K
代理商： IGB01N120H2
IGP01N120H2,
IGD01N120H2
IGB01N120H2
Power Semiconductors
8
Rev. 2, Mar-04
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
V
G
,
G
-
E
0nC
5nC
10nC
15nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=240V
U
CE
=960V
t
p
,
PULSE WIDTH
Q
GE
,
GATE CHARGE
Figure 17. IGBT transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
Figure 18. Typical gate charge
(
I
C
= 1A)
C
,
C
0V
10V
20V
30V
10pF
100pF
C
rss
C
oss
C
iss
V
C
,
C
-
E
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0V
200V
400V
600V
800V
1000V
0.0A
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
I
C
C
C
U
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 19. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(
V
GE
= 0V,
f
= 1MHz)
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 20. Typical turn off behavior, hard
switching
(V
GE
=15/0V,
R
G
=220
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
R
,(K/W )
2.5069
1.1603
0.8327
τ
,
(s)
0.00066
0.00021
0.00426
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
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PDF描述
IGD01N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGP01N120H2 HighSpeed 2-Technology
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