參數資料
型號： IGA03N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術
文件頁數： 2/10頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： IGA03N120H2
IGA03N120H2
Power Semiconductors
2
Mar-04, Rev. 2.0
Thermal Resistance
Parameter
Symbol
Conditions
Max. Value
Unit
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction – case
Thermal resistance,
junction – ambient
Electrical Characteristic,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified
R
thJC
4.3
R
thJA
P-TO-220-3-31
P-TO-220-3-34
64
K/W
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Static Characteristic
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CES
V
CE(sat)
V
GE
=0V,
I
C
=300
μ
A
V
GE
= 15V,
I
C
=3A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
V
GE
= 10V,
I
C
=3A,
T
j
=25
°
C
1200
-
-
Collector-emitter saturation voltage
-
-
-
2.2
2.5
2.4
3
2.8
-
-
3.9
Gate-emitter threshold voltage
V
GE(th)
I
CES
I
C
=90
μ
A,
V
CE
=
V
GE
V
CE
=1200V,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
V
CE
=0V,
V
GE
=20V
V
CE
=20V,
I
C
=3A
2.1
V
Zero gate voltage collector current
-
-
-
-
20
80
μ
A
Gate-emitter leakage current
Transconductance
Dynamic Characteristic
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Gate charge
I
GES
g
fs
-
-
-
2
100
-
nA
S
C
iss
C
oss
C
rss
Q
Gate
-
-
-
-
205
24
7
8.6
-
-
-
-
V
CE
=25V
V
GE
=0V
f
=1MHz
pF
V
CC
=960V,
I
C
=3A
V
GE
=15V
P-TO-220-3-31
nC
Internal emitter inductance
measured 5mm (0.197 in.) from case
L
E
-
7
-
nH
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PDF描述
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