參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3579YSA75BQGI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K的米鼠36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的流量，通過輸出脈沖計(jì)數(shù)器，單周期取消
文件頁數(shù)： 9/22頁
文件大?。?/td> 521K
代理商： IDT71V3579YSA75BQGI
6.42
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
9
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(1)
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 5%)
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
Figure 1. AC Test Load
AC Test Load
AC Test Conditions
(V
DDQ
= 3.3V)
NOTE:
1. The
LBO
, TMS, TDI, TCK and
TRST
pins will be internally pulled to V
DD
and the ZZ in will be internally pulled to V
SS
if they are not actively driven in the application.
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. At f = f
MAX,
inputs are cycling at the maximumfrequency of read cycles of 1/t
CYC
while
ADSC
= LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V
HD
= V
DDQ
- 0.2V, V
LD
= 0.2V. For other inputs V
HD
= V
DD
- 0.2V, V
LD
= 0.2V.
V
DDQ
/2
50
I/O
Z
0
= 50
5280 drw 03
,
Symbol
Parameter
Test Conditions
Mn.
Max.
Unit
|
LI
|
Input Leakage Current
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|
LI
|
ZZ ,
LBO
and JTAG Input Leakage Current
(1)
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
30
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
DDQ
, Device Deselected
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +8mA, V
DD
= Min.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -8mA, V
DD
= Min.
2.4
___
V
5280 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Conditions
7.5ns
8ns
8.5ns
Unit
Com'l Only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I
DD
Operating Power Supply Current
Device Selected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
IH
or < V
IL
, f = f
MAX
(2)
255
200
210
180
190
mA
I
SB1
CMOS Standby Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = 0
(2,3)
30
30
35
30
35
mA
I
SB2
Clock Running Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = f
MAX
(2,.3)
90
85
95
80
90
mA
I
ZZ
Full Sleep Mode Supply Current
ZZ > V
HD
V
DD
= Max.
30
30
35
30
35
mA
5280 tbl 09
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Timng Reference Levels
AC Test Load
0 to 3V
2ns
1.5V
1.5V
See Figure 1
5280 tbl 10
1
2
3
4
20 30 50
100
200
tCD
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
80
5
6
5280 drw 05
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3579YSA75PFGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V416S10BEG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10BEGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10PHG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10PHGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
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參數(shù)描述
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IDT71V416L10BE8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
IDT71V416L10BEG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V416L10BEG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V416L10BEGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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