參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3576S133PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 3/22頁
文件大小： 623K
代理商： IDT71V3576S133PF
6.42
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
11
Linear Burst Sequence Table (LBO=VSS)
Synchronous Write Function Truth Table(1, 2)
Asynchronous Truth Table(1)
Interleaved Burst Sequence Table (LBO=VDD)
NOTES:
1. L = VIL, H = VIH, X = Don’t Care.
2.
BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V3578.
3. Multiple bytes may be selected during the same cycle.
NOTES:
1. L = VIL, H = VIH, X = Don’t Care.
2. Synchronous function pins must be biased appropriately to satisfy operation requirements.
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
Operation
GW
BWE
BW1
BW2
BW3
BW4
Read
HHX
X
Read
HL
HH
Write all Bytes
L
X
Write all Bytes
H
L
Write Byte 1(3)
HL
L
H
HH
Write Byte 2(3)
HL
H
L
HH
Write Byte 3(3)
HL
HHL
H
Write Byte 4(3)
HL
HH
H
L
5279 tbl 12
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
0
1
0
1
Second Address
0
1
0
1
0
Third Address
1
0
1
0
1
Fourth Address
(1)
11
00
0
1
0
5279 tbl 15
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
0
1
0
1
Second Address
0
1
0
1
0
Third Address
1
0
1
0
1
Fourth Address(1)
111
0
1
0
5279 tbl 14
Operation(2)
OE
ZZ
I/O Status
Power
Read
L
Data Out
Active
Read
H
L
High-Z
Active
Write
X
L
High-Z – Data In
Active
Deselected
X
L
High-Z
Standby
Sleep Mode
X
H
High-Z
Sleep
5279 tbl 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V67903S80B 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
IDT72235LB25J CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3576S133PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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IDT71V3576S133PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3576S133PFGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3576S133PFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
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