參數(shù)資料
型號： IDT71V3576S133PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 15/22頁
文件大?。?/td> 623K
代理商： IDT71V3576S133PF
6.42
22
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
Datasheet Document History
7/26/99
Updated to new format
9/17/99
Pg. 8
Revised ISB1 and IZZ for speeds 100–200MHz
Pg. 11
Revised tCDC (min.) at 166MHz
Pg. 18
Added 119 BGA package diagram
Pg. 20
Added Datasheet Document History
12/31/99
Pg. 1, 8, 11, 19
Removed 166, 183, and 200MHz speed grade offerings
(see IDT71V35761 and IDT71V35781)
Pg. 1, 4, 8, 11, 19
Added Industrial Temperature range offerings
04/04/00
Pg.18
Added 100TQFP Package Diagram Outline
Pg. 4
Add capacitancce table for the BGA package; Add Industrial temperature to table;
Insert note to Absolute Max Rating and Recommended Operating Temperature tables
Pg. 7
Add note to BGA pin configurations; corrected typo in pinout
06/01/00
Add new package offering, 13 x 15mm fBGA
Pg. 20
Correct BG119 Package Diagram Outline
07/15/00
Pg. 7
Add note reference to BG119 pinout
Pg. 8
Add DNU reference note to BQ165 pinout
Pg. 20
Update BG119 Package Diagram Outline Dimensions
10/25/00
Remove Preliminary Status
Pg. 8
Add reference note to pin N5 on BQ165 pinout, reserved for JTAG
TRST
04/22/03
Pg. 4
Updated 165 BGA table information from TBD to 7
06/30/03
Pg. 1,2,3,5-9
Updated datasheet with JTAG information
Pg. 5-8
Removed note for NC pins (38,39(PF package); L4, U4 (BG package) H2, N7 (BQ package))
requiring NC or connection to Vss.
Pg. 19,20
Added two pages of JTAG Specification, AC Electrical, Definitions and Instructions
Pg. 21-23
Removed old package information from the datasheet
Pg. 24
Updated ordering information with JTAG and Y stepping information. Added information
regarding packages available IDT website.
01/ /04
Pg.21
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
CORPORATE HEADQUARTERS
for SALES:
for Tech Support:
6024 Silver Creek Valley Road
800-345-7015 or
ipchelp@idt.com
San Jose, CA 95138
408-284-8200
800-345-7015
fax: 408-284-2775
www.idt.com
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V67903S80B 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
IDT72235LB25J CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3576S133PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3576S133PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3576S133PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3576S133PFGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3576S133PFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
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